Samsung công bố DRAM băng thông cao, tiêu thụ điện năng thấp

Ảnh: Extremetech

Theo Extremetech, Samsung khuyến nghị sử dụng bộ nhớ DRAM mới trong các hệ thống trí tuệ nhân tạo dựa trên Mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), mặc dù nó cũng phù hợp với các khối lượng công việc khác.

Về thông số kỹ thuật, LLW-DRAM là bộ nhớ tiêu thụ điện năng thấp với khả năng I/O cao, độ trễ thấp và băng thông 128 GB/s trên mỗi mô-đun. Điều này có thể so sánh với sự kết hợp giữa bộ nhớ DDR5-8000 và bus 128 bit. Một trong những tính năng chính của LLW DRAM là mức tiêu thụ điện năng thấp ở mức 1,2 pJ/bit, mặc dù công ty không tiết lộ tốc độ truyền dữ liệu được đo là bao nhiêu.

Samsung vẫn chưa tiết lộ chi tiết kỹ thuật cụ thể về LLW DRAM, nhưng vì công ty đã phát triển các bộ nhớ như GDDR6W được một thời gian nên có thể Samsung sẽ kết hợp dung lượng của một số mô-đun DRAM này vào một gói duy nhất tận dụng FOWLP (Fan -Out Wafer-Level Packaging) để tăng băng thông giao diện và giảm mức tiêu thụ điện năng.

Tuy nhiên, bộ nhớ này có thể đạt được thông lượng này chỉ với 1,2 pJ/b, tương đối thấp và cho thấy công nghệ này có thể được áp dụng cho điện thoại thông minh và máy tính xách tay thay vì máy tính để bàn. Tabel. Cũng không có thông tin về tốc độ mà các mô-đun này có thể đạt được do băng thông cao và mức tiêu thụ điện năng thấp. Chúng ta sẽ phải chờ thêm thông tin chi tiết về những sản phẩm nào có thể được sử dụng và liệu công nghệ này chỉ dành cho ứng dụng doanh nghiệp hay người tiêu dùng.

Sự trỗi dậy của AI chắc chắn sẽ đặt ra những thách thức lớn cho các công ty như Samsung. AMD, Intel và Nvidia đã bắt đầu phát huy lợi ích của việc chạy các ứng dụng AI trên các thiết bị có phần cứng chuyên dụng như Bộ xử lý thần kinh (NPU) và Tensor Cores. Tuy nhiên, vẫn còn thiếu các ứng dụng để chạy và sức mạnh tính toán để thực hiện điều đó một cách hiệu quả. Các giải pháp như LLW DRAM có thể là một phần của công nghệ đang được phát triển để đẩy nhanh quá trình chuyển đổi mô hình AI từ đám mây sang thiết bị người dùng.

Theo ExtremeTech

Tiến Dũng

Leave a Comment

Your email address will not be published. Required fields are marked *

Scroll to Top